离子注入完毕後的硅片还需要经过热处理，一方面利用热扩散原理进一步将杂质“压入”硅中，另一方面恢复晶格完整X，活化杂质电气特X。
离子注入法具有加工温度低，可均匀、大面积注入杂质，易於控制等优点，因此成为超大规模集成电路中不可缺少的工艺。
再次清除光刻胶。完成离子注入後，可以清除掉选择X掺杂残留下来的光刻胶掩模。
此时，单晶硅内部一小部分硅原子已经被替换成“杂质”元素，从而产生可自由电子或空x。
绝缘层处理，此时晶T管雏形已经基本完成，利用气相沉积法，在硅晶圆表面全面地沉积一层氧化硅膜，形成绝缘层。
同样利用光刻掩模技术在层间绝缘膜上开孔，以便引出导T电极。
沉淀铜层，利用溅S沉积法，在硅片整个表面上沉积布线用的铜层，继续使用光刻掩模技术对铜层进行雕刻，形成场效应管的源极、漏极、栅极。
最後在整个硅片表面沉积一层绝缘层以保护晶T管。
构建晶T管之间连接电路。
经过漫长的工艺，数以十亿计的晶T管已经制作完成。
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